當晶體管關(guān)斷時，電流可流過編程線1和編程線2(圖中WriteLine和WriteLine2)，在它們所產(chǎn)生的編程磁場的共同作用下，使自由層的磁場方向發(fā)生改變，從而完成編程的操作。
實現(xiàn)MRAM可靠存儲的一個主要障礙是較高的位干擾率。對目標存儲單元進行編程時，非目標單元中的自由層可能會被誤編程。目前Everspin研究人員已經(jīng)成功解決了此問題。寫入線1和寫入線2上的脈沖電流產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場，只有它們共同作用的單元才會發(fā)生磁化極性的改變，從而不會干擾相同行或列的其它位單元。
要進一步隔離非目標單元，使其不受干擾，Everspin還使用鍍層包裹內(nèi)部銅線的三個側(cè)面。此鍍層將磁場強度引向并集中到目標單元。這使得可以使用低得多的電流進行編程，并隔離磁場周邊的通常會遭到干擾的單元。
大批量生產(chǎn)Everspin MRAM設(shè)備的另一個難題是由于極薄的A10x隧道結(jié)。A10x結(jié)厚度上的微小變化都會導(dǎo)致位單元電阻的很大改變。Everspin也解決了這一問題，從而實現(xiàn)了在整個晶圓表面上以及整個批量上，都能產(chǎn)生一致的隧道結(jié)。
Everspin還通過增加兩個附加層來改進固定磁性層。在固定層下面增加了一層釘(Ru)。在Ru層下面又增加了另一個稱為牽制層(pinninglayer)的磁性層。固定層和牽制層的極性相反，將會引起很強的耦合，使固定層的極性保持鎖定，因此不會在編程操作過程中引起誤反轉(zhuǎn)。
· 摘要：盡管RFID還處于演示和實驗階段，面臨著諸多挑戰(zhàn)，如標簽價和標準如何統(tǒng)一、顧客隱私如何保護等，但“向新應(yīng)用的邁進是堅定不移的”。
“2020年之前你可以不用RFID，2020年之后就由不得你了！”，——9月15號在上海開幕的“2020年第22屆中國國際工業(yè)博覽會”上，射頻識別技術(shù)版區(qū)的技術(shù)人員這樣介紹RFID。
類似的話廣州晨控智能技術(shù)有限公司小編在二維碼領(lǐng)域也聽過，二維碼在早年也的確是以迅猛的速度代替條形碼的應(yīng)用，二維條碼發(fā)明人之一的王寅君博士曾說，二維圖像條碼技術(shù)已經(jīng)“越過了市場斷層，進入主流市場”。
如今，國內(nèi)的二維碼自動識別應(yīng)用再一次處于風(fēng)口浪尖，新一代技術(shù)RFID所產(chǎn)生的強烈沖擊力和誘惑力，已經(jīng)把國內(nèi)用戶拋到了十字路口：該向左走還是向右走？
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