當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)，電流可流過編程線1和編程線2(圖中WriteLine和WriteLine2)，在它們所產(chǎn)生的編程磁場(chǎng)的共同作用下，使自由層的磁場(chǎng)方向發(fā)生改變，從而完成編程的操作。
實(shí)現(xiàn)MRAM可靠存儲(chǔ)的一個(gè)主要障礙是較高的位干擾率。對(duì)目標(biāo)存儲(chǔ)單元進(jìn)行編程時(shí)，非目標(biāo)單元中的自由層可能會(huì)被誤編程。目前Everspin研究人員已經(jīng)成功解決了此問題。寫入線1和寫入線2上的脈沖電流產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)磁場(chǎng)，只有它們共同作用的單元才會(huì)發(fā)生磁化極性的改變，從而不會(huì)干擾相同行或列的其它位單元。
要進(jìn)一步隔離非目標(biāo)單元，使其不受干擾，Everspin還使用鍍層包裹內(nèi)部銅線的三個(gè)側(cè)面。此鍍層將磁場(chǎng)強(qiáng)度引向并集中到目標(biāo)單元。這使得可以使用低得多的電流進(jìn)行編程，并隔離磁場(chǎng)周邊的通常會(huì)遭到干擾的單元。
大批量生產(chǎn)Everspin MRAM設(shè)備的另一個(gè)難題是由于極薄的A10x隧道結(jié)。A10x結(jié)厚度上的微小變化都會(huì)導(dǎo)致位單元電阻的很大改變。Everspin也解決了這一問題，從而實(shí)現(xiàn)了在整個(gè)晶圓表面上以及整個(gè)批量上，都能產(chǎn)生一致的隧道結(jié)。
Everspin還通過增加兩個(gè)附加層來改進(jìn)固定磁性層。在固定層下面增加了一層釘(Ru)。在Ru層下面又增加了另一個(gè)稱為牽制層(pinninglayer)的磁性層。固定層和牽制層的極性相反，將會(huì)引起很強(qiáng)的耦合，使固定層的極性保持鎖定，因此不會(huì)在編程操作過程中引起誤反轉(zhuǎn)。
· 摘要：盡管RFID還處于演示和實(shí)驗(yàn)階段，面臨著諸多挑戰(zhàn)，如標(biāo)簽價(jià)和標(biāo)準(zhǔn)如何統(tǒng)一、顧客隱私如何保護(hù)等，但“向新應(yīng)用的邁進(jìn)是堅(jiān)定不移的”。
“2020年之前你可以不用RFID，2020年之后就由不得你了！”，——9月15號(hào)在上海開幕的“2020年第22屆中國(guó)國(guó)際工業(yè)博覽會(huì)”上，射頻識(shí)別技術(shù)版區(qū)的技術(shù)人員這樣介紹RFID。
類似的話廣州晨控智能技術(shù)有限公司小編在二維碼領(lǐng)域也聽過，二維碼在早年也的確是以迅猛的速度代替條形碼的應(yīng)用，二維條碼發(fā)明人之一的王寅君博士曾說，二維圖像條碼技術(shù)已經(jīng)“越過了市場(chǎng)斷層，進(jìn)入主流市場(chǎng)”。
如今，國(guó)內(nèi)的二維碼自動(dòng)識(shí)別應(yīng)用再一次處于風(fēng)口浪尖，新一代技術(shù)RFID所產(chǎn)生的強(qiáng)烈沖擊力和誘惑力，已經(jīng)把國(guó)內(nèi)用戶拋到了十字路口：該向左走還是向右走？
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