OSHIBA 3BHE020356R0101 不是模擬輸出模塊。它實(shí)際上是IGCT（Integrated Gate Commutated Thyristor）模塊，是一種用于大功率工業(yè)應(yīng)用的功率半導(dǎo)體器件。以下是有關(guān)此模塊的一些關(guān)鍵細(xì)節(jié)：

型號：3BHE020356R0101
大集電極電流：8130 A
大集電極-發(fā)射極電壓：3300 V
大脈沖電流：9500 A
高工作溫度：125°C
封裝：雙列直插式封裝，帶螺絲端子
尺寸：108 毫米高 x 140 毫米寬 x 51 毫米深
重量：1200 克
東芝 3BHE020356R0101 IGCT 模塊專為處理高電流和電壓而設(shè)計，適用于電機(jī)驅(qū)動、電源和可再生能源系統(tǒng)等應(yīng)用。該模塊的大集電極額定電流為 8130 A，大集電極-發(fā)射極額定電壓為 3300 V。它可以處理高達(dá) 9500 A 的脈沖電流。

該模塊采用帶螺絲端子的雙列直插式封裝，便于安裝和連接到系統(tǒng)中的其他組件。它設(shè)計用于在高達(dá) 125°C 的溫度下運(yùn)行，這使其適合在惡劣環(huán)境中使用。該模塊體積小巧，重量輕，易于集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。